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彩经彩票Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET 可用于

发布时间:2020/12/20

  双MOSFET器件通过减省空间、淘汰器件数目和降低牢靠性,简化汽车电磁阀驾御

  奈梅亨,2020年12月16日:半导体基本元器件周围的高产能临蓐专家Nexperia此日公布获取AEC-Q101认证的新反复雪崩专用FET(ASFET)产物组合,核心体贴动力体例运用。该技能已通过十亿个雪崩周期测试,可用于汽车感性负载驾御,比方电磁阀和实行器。除了供应更速的闭断时光(高达4倍)外,该技能还能通过淘汰BOM数目简化策画。

  正在汽车动力总成中的电磁阀和实行器驾御周围,基于MOSFET的电源计划广泛缠绕着升压、续流二极管或主动钳位拓扑组织举办构修。第四个抉择是反复雪崩策画,愚弄MOSFET的反复雪崩本领来泄放正在其闭断岁月来自感性负载电流的能量。这种策画与主动钳位计划的功用相当,或许扑灭对待二极管和其他器件的需求,从而最大水准地淘汰器件数目并下降电道庞大性。另外,这种策画还能支撑更速的闭断时光,进而降低电磁阀和继电器等机电器件的牢靠性。广泛来讲,这种策画只可操纵基于迂腐平面技能的器件。Nexperia汽车反复雪崩ASFET产物系列专为办理此题目而开辟,或许供应颠末十亿个周期测试的牢靠反复雪崩功效。另外,与升压拓扑比拟,这一产物系列能够淘汰众达15个板载器件,将器件管脚尺寸功用降低众达30%,从而简化策画。

  新的MOSFET正在175°C时齐备吻合AEC-Q101汽车轨范,供应40V和60V选项,类型RDS(ON)额定值为12.5mΩ至55mΩ。全盘器件均采用公司减省空间的LFPAK56D(双通道Power-SO8)铜夹片封装技能。该封装踏实牢靠,装备鸥翼引脚,达成杰出的板级牢靠性,并兼容自愿光学检讨(AOI),供应杰出的可缔制性。

  Nexperia产物司理RichardOgden声明说:“广泛,生气达成反复雪崩拓扑的工程师不得不依赖基于迂腐平面半导体技能的器件。通过正在更高本能硅组织的基本上,供应具有牢靠反复雪崩功效的汽车级器件,就能添加愚弄其功效上风而策画的动力总成数目。”

  Nexperia于2020岁首推出了专用FET(ASFET)系列,旨正在满意业界对待最大化本能的需求。ASFET的MOSFET参数针对特定运用举办了优化。通过静心于特定的运用,可达成明显的革新。其他ASFET系列合用于热插拔、以太网供电(PoE)、电池回护和电机驾御运用。

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